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半導(dǎo)體 CMP 研磨墊柔性纖維導(dǎo)電調(diào)節(jié)器
更新日期:2026-04-16
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廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
生產(chǎn)地址:日本
1. 產(chǎn)品概述
2. 核心技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品類型:導(dǎo)電型纖維刷式 CMP 研磨墊調(diào)節(jié)器
適用工藝:半導(dǎo)體晶圓 CMP 拋光(銅互連、鎢、硅片、氧化物等)
纖維材質(zhì):高純度金剛石 / 碳化硅涂層柔性碳纖維、導(dǎo)電金屬纖維(可選)
纖維密度:100~1000 根 /cm2(依工藝需求定制)
纖維長度:0.5~3mm(定制化,適配不同研磨墊類型)
基底材質(zhì):不銹鋼 / 鋁合金 / 陶瓷(高剛性、高平整度)
基底尺寸:標(biāo)準(zhǔn) φ100~φ300mm(適配主流 CMP 設(shè)備,可定制)
導(dǎo)電性能:低電阻率,支持電化學(xué)輔助修整(ECMP)
適用設(shè)備:Applied Materials、Tokyo Electron 等主流半導(dǎo)體 CMP 設(shè)備
3. 半導(dǎo)體 CMP 研磨墊柔性纖維導(dǎo)電調(diào)節(jié)器 產(chǎn)品性能與用材
核心用材:基底采用高平整度不銹鋼 / 陶瓷,保障安裝精度與受力均勻;柔性碳纖維經(jīng)金剛石 / 碳化硅耐磨涂層處理,提升纖維耐磨性與修整效率;導(dǎo)電涂層實現(xiàn)電化學(xué)輔助修整功能,適配先進(jìn)制程工藝。
性能特點:柔性纖維可貼合研磨墊表面微觀形貌,實現(xiàn)均勻修整,避免硬接觸造成的墊體損傷與晶圓劃痕;導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可配合電化學(xué)輔助修整,提升修整效率,延長研磨墊使用壽命;纖維高度一致性高,保障修整后研磨墊表面平整度,穩(wěn)定 CMP 工藝的去除率與晶圓 TTV。
4. 產(chǎn)品優(yōu)勢和特點
柔性低損傷修整:柔性纖維貼合研磨墊微觀形貌,均勻修整,減少墊體損傷與晶圓劃痕風(fēng)險。
導(dǎo)電輔助高效作業(yè):導(dǎo)電結(jié)構(gòu)支持電化學(xué)輔助修整(ECMP),提升修整效率,延長研磨墊使用壽命。
高耐磨長壽命:金剛石 / 碳化硅涂層纖維,耐磨性能優(yōu)異,適配半導(dǎo)體量產(chǎn)長周期使用。
高平整度工藝穩(wěn)定:基底與纖維高度一致性高,保障修整后研磨墊平整度,穩(wěn)定 CMP 工藝參數(shù)。
定制化適配性強(qiáng):可根據(jù) CMP 設(shè)備、研磨墊類型、工藝需求,定制纖維材質(zhì)、密度、長度、基底尺寸等參數(shù)。
兼容主流設(shè)備:適配全球主流半導(dǎo)體 CMP 設(shè)備,無需改造設(shè)備即可直接安裝使用。
5. 適用場景
半導(dǎo)體晶圓制造:12/8 英寸晶圓 CMP 工藝(銅 CMP、鎢 CMP、硅片拋光、氧化物拋光等)的研磨墊在線修整。
半導(dǎo)體設(shè)備配套:CMP 設(shè)備原廠配套耗材、晶圓廠量產(chǎn)耗材替換。
先進(jìn)制程工藝:7nm/5nm 等先進(jìn)邏輯芯片、存儲芯片的 CMP 工藝修整。
CMP 工藝研發(fā):高校、科研院所的 CMP 工藝優(yōu)化、新型研磨墊 / 修整器研發(fā)測試。
6. 包裝、使用說明
包裝:采用無塵、防潮、防震包裝,關(guān)鍵部件(纖維層、基底)做精密防護(hù),確保運(yùn)輸過程中無損傷、無污染,符合半導(dǎo)體級潔凈要求。
使用說明:根據(jù) CMP 設(shè)備型號與工藝參數(shù),選擇對應(yīng)規(guī)格的調(diào)節(jié)器,按設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)流程安裝;使用過程中定期檢查纖維磨損情況,按工藝要求設(shè)定修整參數(shù);使用后清潔并妥善存放,避免纖維變形與污染。






